【本站】5月6日消息，據(jù)外媒報道，高通公司將在未來幾年推出一系列重大改進(jìn)，以進(jìn)一步提高驍龍芯片的性能和功效。

據(jù)悉，今年下半年發(fā)布的驍龍 8Gen3 將繼續(xù)使用 4nm 工藝，ARM 的核心，支持 LPDDR5X 內(nèi)存。但從驍龍 8Gen4 開始，高通芯片將迎來大改。高通公司收購 Nuvia 公司之后一直在自研 Oryon 內(nèi)核，驍龍 8Gen4 可能是首款用到 Oryon 內(nèi)核的高通芯片。同時，驍龍 8Gen4 還將支持 LPDDR6 內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)，該內(nèi)存來自三星。

據(jù)本站了解，高通將從明年開始改用臺積電的 3nm 工藝，其中 N3E 工藝將成為新一代安卓旗艦的主流制程。臺積電的 3nm 工藝有 N3 和 N3E 兩種，但臺積電一直建議手機(jī)廠商使用 N3E 工藝。與 5nm 相比，N3E 工藝的性能將提高 10%-15%，功耗下降 25%-30%。這意味著未來的驍龍芯片將具有更快的速度和更長的電池續(xù)航能力。

隨著全球 5G 網(wǎng)絡(luò)的普及和 5G 手機(jī)的廣泛應(yīng)用，高通作為移動芯片領(lǐng)域的龍頭企業(yè)，將繼續(xù)加強(qiáng)技術(shù)研發(fā)，提高產(chǎn)品競爭力，以滿足消費(fèi)者對高性能、低功耗移動設(shè)備的需求。